厂家采购价格_东芝(Toshiba)

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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
RN1107ACT(TPL3) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3	¥2.46259	9440	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.46259	添加到BOM 立即询价
RN1417(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 250兆赫供应商设备包装: S-Mini	¥2.46259	2601	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.46259	添加到BOM 立即询价
RN1427TE85LF 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 300兆赫供应商设备包装: S-Mini	¥0.81077	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,432.31000	添加到BOM 立即询价
RN1415(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 250兆赫供应商设备包装: S-Mini	¥2.46259	1729	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.46259	添加到BOM 立即询价
RN1418(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 250兆赫供应商设备包装: S-Mini	¥2.46259	1099	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.46259	添加到BOM 立即询价
RN1114(T5L,F,T) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: SSM	¥1.66587	80	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.66587	添加到BOM 立即询价
RN1118(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: SSM	¥2.89716	2970	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.89716	添加到BOM 立即询价
RN1304,LXHF 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: SC-70	¥1.36601	100	2-3 工作日	- + 合计: ¥1.36601	立即购买加入购物车
RN2117(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫供应商设备包装: SSM	¥2.89716	2950	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.89716	添加到BOM 立即询价
RN1302,LXHF 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: SC-70	¥1.37760	100	2-3 工作日	- + 合计: ¥1.37760	立即购买加入购物车
RN1117(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: SSM	¥2.89716	2078	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.89716	添加到BOM 立即询价
RN2426(TE85L,F) 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 200兆赫供应商设备包装: S-Mini	¥1.44496	100	2-3 工作日	- + 合计: ¥1.44496	立即购买加入购物车
RN1405,LF 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦特征频率: 250兆赫供应商设备包装: S-Mini	¥1.52101	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥1.52101	添加到BOM 立即询价
RN2106MFV,L3XHF(CT 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: VESM	¥2.53502	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.53502	添加到BOM 立即询价
RN2103MFV,L3XHF(CT 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: VESM	¥2.53502	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.53502	添加到BOM 立即询价
RN2102MFV,L3XHF(CT 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: VESM	¥2.53502	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.53502	添加到BOM 立即询价
RN1106MFV,L3XHF(CT 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM	¥2.53502	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.53502	添加到BOM 立即询价
RN1107MFV,L3XHF(CT 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM	¥2.53502	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.53502	添加到BOM 立即询价
RN2101MFV,L3XHF(CT 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: PNP-预偏最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫供应商设备包装: VESM	¥2.53502	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.53502	添加到BOM 立即询价
RN1104MFV,L3XHF(CT 东芝 (Toshiba)	晶体管类别: NPN-预偏置最大集电极电流 (Ic): 100毫安集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM	¥2.53502	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2.53502	添加到BOM 立即询价

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