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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
RN2416,LF
RN2416,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.73081

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,192.42700

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RN2418,LF
RN2418,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.73081

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,192.42700

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RN1417,LF
RN1417,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.69604

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.69604

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RN1418,LF
RN1418,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.69604

90

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.69604

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RN2303,LF
RN2303,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.32458

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.32458

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RN1303(TE85L,F)
RN1303(TE85L,F)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.81073

1627

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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RN2113,LF(CT
RN2113,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.26487

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥794.61900

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RN2105,LF(CT
RN2105,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥1.44858

5810

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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RN1304,LF
RN1304,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.28255

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥847.63800

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RN1307,LF
RN1307,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.77789

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,333.66100

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RN1311,LF
RN1311,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.61358

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,840.72500

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RN2303(TE85L,F)
RN2303(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.95558

917

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.95558

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RN1315,LF
RN1315,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.28255

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥847.63800

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RN1309(TE85L,F)
RN1309(TE85L,F)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.95558

893

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.95558

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RN1403,LF
RN1403,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.28255

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥847.63800

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RN2307(TE85L,F)
RN2307(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.95558

306

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.95558

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RN1404,LF
RN1404,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.28255

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥847.63800

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RN1113(T5L,F,T)
RN1113(T5L,F,T)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.30022

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥900.65400

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RN2302,LF
RN2302,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.81144

200

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,434.33200

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RN2305(TE85L,F)
RN2305(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.95558

107

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.95558

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