品牌介绍
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥0.35316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,059.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥0.19426 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,554.04000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥0.35316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,059.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.47103 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,413.09900 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 300兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.62096 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,862.88300 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 300兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.62096 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,862.88300 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 300兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.50942 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,528.26000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥1.52101 | 107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 300兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.65283 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,958.49000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 300兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.50725 | 60 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,521.74100 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 300兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.62096 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,862.88300 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥0.69097 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,072.91900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.50942 | 98 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,528.26000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥1.44858 | 52 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥0.21077 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,686.14400 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥0.21193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,695.41600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥0.21193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,695.41600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥0.21193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,695.41600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥0.21193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,695.41600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥0.21193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,695.41600 | 添加到BOM 立即询价 |