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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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描述
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RN1118MFV,L3F
RN1118MFV,L3F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM

¥0.21193

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,695.41600

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RN1119MFV,L3F
RN1119MFV,L3F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.21193

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,695.41600

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RN1132MFV,L3F
RN1132MFV,L3F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.21193

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,695.41600

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RN1303,LF
RN1303,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.69604

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.69604

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RN2109MFV,L3F
RN2109MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.21193

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,695.41600

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RN1108MFV,L3F
RN1108MFV,L3F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.74095

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.74095

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RN2112MFV,L3F
RN2112MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

7975

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2119MFV,L3F
RN2119MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

7860

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2103MFV,L3F(CT
RN2103MFV,L3F(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

6900

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2101MFV,L3F(CT
RN2101MFV,L3F(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

6733

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2105MFV,L3F(CT
RN2105MFV,L3F(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM

¥0.23829

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23829

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RN2102MFV,L3F(CT
RN2102MFV,L3F(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

4232

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2305,LF
RN2305,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.30372

2900

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2101,LF(CT
RN2101,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.75471

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.75471

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RN1102,LF(CT
RN1102,LF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.46789

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.46789

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RN1316,LF
RN1316,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.88363

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.88363

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RN1102MFV,L3F
RN1102MFV,L3F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.21055

8000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21055

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RN1406,LF
RN1406,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.59344

3224

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.59344

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RN2404,LF
RN2404,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.31507

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥945.19800

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RN1106,LF(CT
RN1106,LF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.82714

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.82714

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