东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.90063 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.90063 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥0.26487 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥794.61900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.30372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥0.26487 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥794.61900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.30372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥0.26487 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥794.61900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.30372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥0.26487 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥794.61900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.30372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥0.26487 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥794.61900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.30372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥0.73588 | 300 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,207.63700 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥0.26487 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥794.61900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥2.39016 | 9945 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥2.14813 | 2997 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.14813 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥1.30372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥0.35316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,059.49200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥0.73081 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.73081 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥0.98938 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,968.14000 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥0.35316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,059.49200 | 添加到BOM 立即询价 |