久芯网

品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
RN1106MFV,L3F
RN1106MFV,L3F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.90063

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.90063

立即购买
加入购物车
RN2112,LF(CT
RN2112,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.26487

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥794.61900

添加到BOM
立即询价
RN1104MFV,L3F(CT
RN1104MFV,L3F(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

添加到BOM
立即询价
RN2115,LF(CT
RN2115,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.26487

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥794.61900

添加到BOM
立即询价
RN2107MFV,L3F(CT
RN2107MFV,L3F(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

添加到BOM
立即询价
RN2116,LF(CT
RN2116,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.26487

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥794.61900

添加到BOM
立即询价
RN1107MFV,L3F(CT
RN1107MFV,L3F(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

添加到BOM
立即询价
RN1110,LF(CT
RN1110,LF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.26487

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥794.61900

添加到BOM
立即询价
RN2116MFV,L3F
RN2116MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

添加到BOM
立即询价
RN1109,LF(CT
RN1109,LF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.26487

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥794.61900

添加到BOM
立即询价
RN1101MFV,L3F(CT
RN1101MFV,L3F(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

添加到BOM
立即询价
RN2103,LF(CT
RN2103,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.73588

300

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,207.63700

立即购买
加入购物车
RN2109,LF(CT
RN2109,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.26487

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥794.61900

添加到BOM
立即询价
RN1112ACT(TPL3)
RN1112ACT(TPL3)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥2.39016

9945

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

添加到BOM
立即询价
RN1301,LF
RN1301,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.14813

2997

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.14813

立即购买
加入购物车
TDTC114E,LM
TDTC114E,LM
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.30372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

添加到BOM
立即询价
RN1314(TE85L,F)
RN1314(TE85L,F)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

添加到BOM
立即询价
RN1115,LF(CT
RN1115,LF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.73081

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.73081

立即购买
加入购物车
RN1317(TE85L,F)
RN1317(TE85L,F)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.98938

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,968.14000

立即购买
加入购物车
RN2310(TE85L,F)
RN2310(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

添加到BOM
立即询价
会员中心 微信客服
客服
回到顶部