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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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操作
RN1111,LF(CT
RN1111,LF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥1.52101

1934

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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RN1107,LF(CT
RN1107,LF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.34114

558

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.34114

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RN1404S,LF
RN1404S,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.52101

1785

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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RN2301,LF
RN2301,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.75471

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.75471

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RN1111ACT(TPL3)
RN1111ACT(TPL3)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥1.63690

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.63690

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RN1108(T5L,F,T)
RN1108(T5L,F,T)
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥1.66587

2033

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66587

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RN1416,LF
RN1416,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.44858

60

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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RN1442ATE85LF
RN1442ATE85LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 30兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.73830

2355

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.73830

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RN2102ACT(TPL3)
RN2102ACT(TPL3)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥1.06343

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.06343

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RN2108ACT(TPL3)
RN2108ACT(TPL3)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3

¥1.47755

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.47755

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RN2106(T5L,F,T)
RN2106(T5L,F,T)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥1.76727

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.76727

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RN1407,LXHF
RN1407,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.23636

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.23636

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RN2308,LXHF
RN2308,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.34790

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.34790

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RN2304,LXHF
RN2304,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.37253

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.37253

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RN1303,LXHF
RN1303,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.35804

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.35804

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RN2316,LXHF
RN2316,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

5300

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN2306,LXHF
RN2306,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.37253

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.37253

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RN1307,LXHF
RN1307,LXHF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥2.89716

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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RN2302,LXHF
RN2302,LXHF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.36601

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.36601

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RN2411,LF
RN2411,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.73081

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,192.42700

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