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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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操作
RN2308,LF
RN2308,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.30372

2900

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN1310,LF
RN1310,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥0.73878

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.73878

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RN1308,LF
RN1308,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.30372

1316

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN1105,LF(CT
RN1105,LF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥2.02801

6

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN2108,LF(CT
RN2108,LF(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM

¥0.69025

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.69025

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RN1130MFV,L3F
RN1130MFV,L3F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM

¥0.23032

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,842.59200

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RN1103MFV,L3F
RN1103MFV,L3F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.23129

319

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.23129

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RN1114MFV,L3F
RN1114MFV,L3F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM

¥0.23032

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,842.59200

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RN2106MFV,L3F(CT
RN2106MFV,L3F(CT
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

3033

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2108MFV,L3F
RN2108MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.23032

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,842.59200

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RN1411,LF
RN1411,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.44858

2442

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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RN2412TE85LF
RN2412TE85LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.38851

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,165.52700

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RN2110MFV,L3F
RN2110MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.23032

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,842.59200

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RN2413TE85LF
RN2413TE85LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥0.38851

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,165.52700

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RN2111MFV,L3F
RN2111MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.23032

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,842.59200

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RN2114MFV,L3F
RN2114MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.23032

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,842.59200

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RN2115MFV,L3F
RN2115MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.23032

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,842.59200

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RN2117MFV,L3F
RN2117MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.23032

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,842.59200

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RN2130MFV,L3F
RN2130MFV,L3F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥0.74457

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,956.56000

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RN1102T5LFT
RN1102T5LFT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM

¥1.84740

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.84740

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