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RN1107MFV,L3XHF(CT

  • 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.53501 2.53501
10+ 2.06422 20.64227
100+ 1.09367 109.36780
500+ 0.71979 359.89950
1000+ 0.48947 489.47500
2000+ 0.44145 882.91000
8000+ 0.38387 3070.99200
16000+ 0.32629 5220.68800
24000+ 0.30709 7370.37600
56000+ 0.28790 16122.68000
200000+ 0.27160 54321.80000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.53502
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.54
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 NPN-预偏置
  • 集电极击穿电压 50 V
  • 基极电阻 (R1) 10千欧姆
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 安装类别 表面安装
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 发射极电阻 (R2) 47 kOhms
  • 最小直流增益 80 @ 10毫安, 5V
  • 特征频率 -
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 500A, 5毫安
  • 最大功率 150 mW
  • 包装/外壳 SOT-723
  • 供应商设备包装 VESM

RN1107MFV,L3XHF(CT 产品详情

  • 适用范围:一般用途
  • 极性:NPN
  • 内部连接:单个
  • 补充产品:RN2107MFV
  • AEC-Q101:合格(*)
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:10 kΩ
  • 装配底座:47 kΩ

应用

一般用途
RN1107MFV,L3XHF(CT所属分类:单个预偏置双极晶体管,RN1107MFV,L3XHF(CT 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RN1107MFV,L3XHF(CT价格参考¥2.535015,你可以下载 RN1107MFV,L3XHF(CT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RN1107MFV,L3XHF(CT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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