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RN1112(TE85L,F)

  • 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.59343 1.59343
10+ 1.31820 13.18208
100+ 0.70038 70.03880
500+ 0.46064 230.32400
1000+ 0.31325 313.25500
3000+ 0.28254 847.63800
6000+ 0.24567 1474.07400
15000+ 0.20881 3132.19500
30000+ 0.19657 5897.16000
75000+ 0.18425 13819.42500
  • 库存: 3000
  • 单价: ¥1.59344
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.59
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 NPN-预偏置
  • 集电极击穿电压 50 V
  • 特征频率 250兆赫
  • 安装类别 表面安装
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 250A, 5毫安
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 发射极电阻 (R2) -
  • 基极电阻 (R1) 22千欧姆
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 包装/外壳 SC-75,SOT-416
  • 最小直流增益 120@1毫安,5V
  • 最大功率 100 mW
  • 供应商设备包装 SSM

RN1112(TE85L,F) 产品详情

  • 适用范围:一般用途
  • 极性:NPN
  • 内部连接:单个
  • 补充产品:RN2111
  • AEC-Q101:合格(*)
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:10 kΩ
  • 装配底座:无限kΩ

应用

一般用途
RN1112(TE85L,F)所属分类:单个预偏置双极晶体管,RN1112(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RN1112(TE85L,F)价格参考¥1.593438,你可以下载 RN1112(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RN1112(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

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