特色
- 简化电路设计
- 减少板空间
- 减少组件数量
- 汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101合格和PPAP能力
- 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
MUN5138T1G
- 描述:晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 202毫瓦 供应商设备包装: SC-70-3（SOT323）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 12000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.30785 | 0.30785 |
| 200+ | 0.11913 | 23.82760 |
| 500+ | 0.11495 | 57.47600 |
| 1000+ | 0.11288 | 112.88100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.30786
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,354.57
在线询价
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 50 V
- 集电极最大截止电流 500nA
- 安装类别 表面安装
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 基极电阻 (R1) 2.2千欧姆
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 晶体管类别 PNP-预偏
- 包装/外壳 SC-70，SOT-323
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@300A、 10毫安
- 特征频率 -
- 发射极电阻 (R2) -
- 供应商设备包装 SC-70-3（SOT323）
- 最大功率 202毫瓦
- 最小直流增益 160@5毫安，10V
MUN5138T1G 产品详情
这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管；串联基极电阻器和基极发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中，从而消除了这些组件。使用快速公交系统可以降低系统成本和董事会空间。
MUN5138T1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MUN5237DW1T1G | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN DUAL 50V SC88-6 | ¥0.28972 |
| MUN2237T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 50V SC59 | ¥0.14486 |
 | MUN2112T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 | ¥0.36215 |
 | MUN2113T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
 | MUN2114T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
 | MUN2215T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
| MUN2232T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
| MUN2234T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
| MUN2240T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
| MUN5111T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323 | ¥0.28972 |
MUN5138T1G所属分类：单个预偏置双极晶体管，MUN5138T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MUN5138T1G价格参考￥0.307859，你可以下载 MUN5138T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MUN5138T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
