9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTP2012A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTP2012A参考价格为0.82000美元。Diodes Incorporated ZXTP2012A包装/规格：TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3。您可以下载ZXTP2012A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXTP2008GTA是TRANS PNP 30V 5.5A SOT223，包括ZXTP2008系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备以3W功率最大值提供，该设备具有晶体管型PNP，集电极Ic最大值为5.5A，集电极-发射极击穿最大值为30V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1A，1V，Vce饱和最大值Ib Ic为210mV@500mA，5.5A，且集电极截止最大值为20nA（ICBO），频率转换为110MHz，Pd功耗为3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V，晶体管极性为PNP，集电极基极电压VCBO为-50 V，发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为5.5A，增益带宽乘积fT为110MHz，连续集电极电流是-5.5A，直流集电极基本增益hfe Min为100，直流电流增益hfe Max为300。
ZXTP2008ZTA是TRANS PNP 30V 5.5A SOT89，包括30V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在175mV@500mA、5.5A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834 oz的晶体管，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计用于PNP，以及SOT-89-3供应商设备包，该设备也可以用作ZXTP2008系列。此外，最大功率为2.1W，该器件提供2100 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-243AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为5.5A，增益带宽积fT为110MHz，频率转换为110MHz；发射极基极电压VEBO为7V；直流电流增益hFE Min Ic Vce为100@1A、1V，直流电流增益h FE Max为300；直流集电极基极增益hFE Min为100，集电极Ic Max为5.5A；集电极截止电流最大值为20nA（ICBO），并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V，集电极基极电压VCBO为-30 V。
ZXTP2009ZTA是TRANS PNP 40V 5.5A SOT89，包括-50 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在40 V集电极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供连续集电极电流功能，如-5.5 a，直流集电极基极增益hfe Min设计为在100，该器件还可以用作7.5V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为152 MHz，该器件的最大直流集电极电流为5.5 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-89，封装为卷轴式，Pd功耗为3000 mW，系列为ZXTP200，晶体管极性为PNP，单位重量为0.001834盎司。
