英飞凌的双功率MOSFET集成了两个HEXFET®器件,以提供节省空间、成本效益高的开关解决方案,适用于电路板空间较高的高组件密度设计。提供多种封装选项,设计者可以选择双N/P通道配置。
![IRF7507TRPBF](https://uploads.9icnet.com/images/product/picture/318/336/7116336.jpg)
IRF7507TRPBF
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A、1.7A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 2.21632 | 2.21632 |
- 库存: 86
- 单价: ¥2.21633
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.22
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 场效应管类型 N和P通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.4A、1.7A
- 导通电阻 Rds(ON) 140毫欧姆@1.7A,4.5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 700mV @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 260皮法@15V
- 最大功率 1.25瓦
- 包装/外壳 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00毫米 Width)
- 供应商设备包装 Micro8
IRF7507TRPBF 产品详情
双N/P沟道功率MOSFET,Infineon
IRF7507TRPBF所属分类:场效应晶体管阵列,IRF7507TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7507TRPBF价格参考¥2.216327,你可以下载 IRF7507TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7507TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
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1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。