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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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IRF7507TRPBF
IRF7507TRPBF
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A、1.7A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.21633

86

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.21633

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IRF7509TRPBF
IRF7509TRPBF
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A,2A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.23806

13

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.23806

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IRF7530TRPBF
IRF7530TRPBF
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.24290

81418

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.24290

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IRF7301TRPBF
IRF7301TRPBF
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.65332

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.65332

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IRF7314TRPBF
IRF7314TRPBF
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.65887

15

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.65887

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IRF7306TRPBF
IRF7306TRPBF
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83512

76

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.83512

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IRF7316TRPBF
IRF7316TRPBF
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.19243

2120

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.19243

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BSO330N02KG
BSO330N02KG
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.66587

2746

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,205.60791

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BSO211P
BSO211P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.10044

20000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,148.75114

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BSO211PH
BSO211PH
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: 532-FCBGA (23x23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.24530

2500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,198.14772

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IPD65R600E6
IPD65R600E6
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

¥4.78031

34028

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.38381

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FF23MR12W1M1B11BOMA1
FF23MR12W1M1B11BOMA1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥789.76582

189

5-7 工作日

- +

合计: ¥789.76582

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FF11MR12W1M1PB11BPSA1
FF11MR12W1M1PB11BPSA1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tj) 供应商设备包装: AG-EASY1B-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,486.09822

72

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,486.09822

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IRF7904TRPBF
IRF7904TRPBF
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A, 11A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.66201

15

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.66201

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IPA126N10N3G
IPA126N10N3G
35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL

¥5.43218

1450

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.43783

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IRL6297SDTRPBF
IRL6297SDTRPBF
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: DIRECTFETSA 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.84455

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,103.62100

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IAUC45N04S6N070HATMA1
IAUC45N04S6N070HATMA1
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tj) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-57 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.42978

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.42978

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BSZ076N06NS3G
BSZ076N06NS3G
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

¥3.11445

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,192.57069

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IPG20N06S2L35ATMA1
IPG20N06S2L35ATMA1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A 供应商设备包装: PG-TDSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.86435

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.86435

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IPP50R350CP
IPP50R350CP
COOLMOS 10A, 500V N-CHANNEL

¥5.79432

1500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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