1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A、1.7A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.21633 | 86 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.21633 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A,2A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.23806 | 13 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.23806 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.24290 | 81418 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.24290 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.65332 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.65332 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.65887 | 15 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.65887 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83512 | 76 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.83512 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.19243 | 2120 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.19243 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.66587 | 2746 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.60791 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 20000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,148.75114 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: 532-FCBGA (23x23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.24530 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,198.14772 | 添加到BOM 立即询价 | ||
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.78031 | 34028 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥789.76582 | 189 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥789.76582 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tj) 供应商设备包装: AG-EASY1B-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,486.09822 | 72 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,486.09822 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A, 11A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.66201 | 15 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.66201 | 立即购买 加入购物车 | ||
35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL | ¥5.43218 | 1450 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.43783 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: DIRECTFETSA 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.84455 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,103.62100 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tj) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-57 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.42978 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.42978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.11445 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A 供应商设备包装: PG-TDSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.86435 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.86435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
COOLMOS 10A, 500V N-CHANNEL | ¥5.79432 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 |