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IPD65R600C6是MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6，包括CoolMOS C6-系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在IPD65R700C6BTMA1 IPD65C600C6XT SP000745020中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为63 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80nS，Qg栅极电荷为23nC。
IPD65R420CFDATMA1带有用户指南，其中包括CoolMOS商品名，它们设计用于使用Si技术，数据表注释中显示了IPD65R520CFD SP001117738中使用的零件别名，该产品提供卷筒等包装功能，包装箱设计用于to-252-3。
IPD65R600C6ATMA1带有电路图，包括TO-252-3封装盒，它们设计用于卷筒封装，数据表注释中显示了零件别名，用于0.3504 IPD65R700C6，提供Si等技术特性。
