9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSZ076N06NS3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSZ076N06NS3G参考价格为0.43000美元。Infineon Technologies BSZ076N06NS3G封装/规格：OPTLMOS N沟道功率MOSFET。您可以下载BSZ076N06NS3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSZ076N06NS3 G是MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSZ076NO6NS3GATMA1 BSZ076NO 6NS3GXT SP000454420的部件别名，该BSZ076N 6NS3GXTSP000454 420提供了SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为69 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为37nC，正向跨导最小值为39S 20S，并且信道模式是增强。
带有用户指南的BSZ075N08NS5ATMA1，包括2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件以4 ns上升时间提供，该器件具有10.2 mOhm的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为24 nC，Pd功耗为69 W，零件别名为BSZ075N08NS5 SP001132454，封装为卷轴，封装盒为TSDSON-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为40 A，正向跨导最小值为21 S，下降时间为4 ns，配置为单一，信道模式为增强。
带有电路图的BSZ068N06NSATM1，包括增强信道模式，它们设计为使用单一配置运行，数据表注释中显示了3 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，例如41 S，Id连续漏电流设计为在40 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用TSDSON-8封装盒，该器件具有一卷封装，零件别名为BSZ068N06NS SP001067002，Pd功耗为46 W，Qg栅极电荷为17 nC，Rds漏极-源极电阻为6.8 mOhms，上升时间为3 ns，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为7ns，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为2.8V。
