9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSZ0503NSIATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。BSZ0503NSIATMA1参考价格为0.403936美元。Infineon Technologies BSZ0503NSIATMA1包装/规格：TRENCH<=40V。您可以下载BSZ0503NSIATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSZ0506NSATMA1是MOSFET LV POWER MOS，包括卷轴封装，它们设计为与BSZ0506NS SP001281636零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如TSDSON-8，技术设计为在Si中工作，以及单配置，该设备也可以用作27 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为2 ns，上升时间为2.4 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.6 V，Rds导通漏极-源极电阻为4.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为2.3ns，Qg栅极电荷为11nC，正向跨导最小值为98S，沟道模式为增强。
BSZ0502NSIATMA1带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于与BSZ0502NS I SP001288154零件别名一起操作。数据表说明中显示了用于卷筒的包装，该卷筒提供了包装箱功能，如TSDSON-8。
带有电路图的BSZ0503NSIATMA1，包括TSDSON-8包装箱，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了零件别名，用于BSZ0503NS I SP001288156，该产品提供Si等技术特性。
