久芯网

IRL6297SDTRPBF

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: DIRECTFETSA 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 620

数量 单价 合计
100+ 7.80670 780.67020
1000+ 7.36479 7364.79800
3000+ 6.55467 19664.01600
10000+ 5.45198 54519.84000
50000+ 5.14338 257169.30000
  • 库存: 48000
  • 单价: ¥9.84455
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4,840.16
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功率 1.7瓦
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.9毫欧姆 @ 15A, 4.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@35A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 54nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2245皮法@10V
  • 包装/外壳 DirectFET等距SA
  • 供应商设备包装 DIRECTFETSA

IRL6297SDTRPBF 产品详情


这些来自International Rectifier的N沟道MOSFET利用先进的处理技术实现了每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET的快速开关速度和坚固的器件设计 功率MOSFET为设计者提供了一种用于电池和负载管理的极其高效和可靠的器件。

•超低导通电阻
•N沟道MOSFET
•SOT-23占地面积
•薄型(<1.1mm)
•提供磁带和卷轴
•快速切换

 

特色

  • 符合RoHS
  • 行业领先的质量
  • 快速切换
  • 薄型(小于1.1mm)
  • SOT-23占地面积

应用

  • 直流开关
  • 负载开关
IRL6297SDTRPBF所属分类:场效应晶体管阵列,IRL6297SDTRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRL6297SDTRPBF价格参考¥9.844550,你可以下载 IRL6297SDTRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRL6297SDTRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部