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EMH2314-TL-H是MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8，包括EMH2314系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计用于Si，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在8-EMH供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为2 P信道（双），最大功率为1.2W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为1300pF@6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5A，最大Id Vgs的Rds为37 mOhm@2.5A，4.5V，栅极电荷Qg Vgs为12nC@4.5V，Pd功耗为1.2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为58 ns，上升时间为77 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为-5A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为133mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为79ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为12nC。
EMH2308-TL-H和用户指南，包括1个P沟道晶体管类型，它们设计为与P沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了Si中使用的技术，提供了供应商设备包功能，如8-EMH、Rds on Max Id Vgs，设计为在85 mOhm@3A、4.5V以及1W功率最大值下工作，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，工作温度范围为150°C（TJ），器件具有1个通道数，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为320pF@10V，栅极电荷Qg Vgs为4nC@4.5V，FET类型为2个P通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，1.8V驱动，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3A。
EMH2 T2R，电路图由ROHM制造。EMH2 T2R采用SOT-563封装，是预偏置晶体管（BJT）阵列的一部分。
EMH2308-TL-E是SANYO制造的Trans-MOSFET P-CH Si 20V 3A 8引脚Sot-383FL T/R。EMH2308-TL-E采用SOT363封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH Si 20V 3A 8引脚Sot-383FL T/R。
