9icnet为您提供由其他公司设计和生产的SI9926DY，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI9926DY价格参考值0.22000美元。其他SI9926DY封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载SI9926DY英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI9926CDY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI9926CDY-GE3中使用的零件别名，该SI9926CPY-GE3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，功率最大值为3.1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1200pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs的Rds为18 mOhm@8.3A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为33nC@10V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为12 ns 10 ns，上升时间为10 ns 12 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为8 A，Vds漏源击穿电压为20 V，Rds漏源电阻为18 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是35ns 25ns，并且典型接通延迟时间是15ns 10ns，并且沟道模式是增强。
SI9926CDY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC，包括1.5V@250μ，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有8-SO供应商器件封装，系列为TrenchFETR，上升时间为10 ns 12 ns，Rds On Max Id Vgs为18 mOhm@8.3A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为18 mOhm，功率最大值为3.1W，Pd功耗为2 W，零件别名为SI9926CDY-E3，包装为Digi-ReelR替代包装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为1200pF@10V，Id连续漏极电流为8 A，栅极电荷Qg Vgs为33nC@10V；FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为12 ns 10 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为8A，配置为双通道，通道模式为增强型。
SI9926CDY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI9926CDY-T1采用SO-8封装，是FET阵列的一部分。
