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FDS8858CZ

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.6A, 7.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.67747 7.67747
10+ 6.83729 68.37298
100+ 5.32860 532.86020
500+ 4.40209 2201.04500
1000+ 3.68591 3685.91200
2500+ 3.68591 9214.78000
  • 库存: 33171
  • 单价: ¥7.67747
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.68
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8.6A, 7.3A
  • 导通电阻 Rds(ON) 17毫欧姆@8.6A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1205FF@15V
  • 最大功率 900mW

FDS8858CZ 产品详情

PowerTrench®双N/P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • Q1 N信道最大值。RDS(开启)=17 mΩ,VGS=10 V,ID=8.6 A最大值。RDS(开启)=20 mΩ,VGS=4.5 V,ID=7.3 A
  • Q2 P信道最大值。RDS(开启)=20.5 mΩ,VGS=-10 V,ID=-7.3 A最大值。RDS(开启)=34.5 mΩ,VGS=-4.5 V,ID=-5.6 A
  • 广泛使用的表面贴装封装中的高功率和电流处理能力
  • 快速切换速度

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 逆变器
  • 同步降压
FDS8858CZ所属分类:场效应晶体管阵列,FDS8858CZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS8858CZ价格参考¥7.677474,你可以下载 FDS8858CZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS8858CZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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