品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.6A, 7.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.67747 | 33171 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.67747 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL MOSFET | ¥1.81073 | 160500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL MOSFET | ¥2.24530 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A 供应商设备包装: SOT-28FL/ECH8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.85274 | 16776 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL MOSFET | ¥2.60744 | 22045 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,151.14130 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.08717 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.08717 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.48891 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.48891 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 6-WLCSP (1.3x2.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.89476 | 65577 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, | ¥4.34574 | 126925 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL MOSFET | ¥4.41817 | 35700 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.48464 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥4.85274 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.58709 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.66347 | 3987 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.66347 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥2.93338 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.46700 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL MOSFET | ¥2.96959 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,832.23641 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A，34A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.79192 | 169 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.79192 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.34A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.69148 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.69148 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A（Ta）、4.1A（Tc）、2.4A（Ta 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.60553 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.60553 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 供应商设备包装: 10-WLCSP（3.54x1.77） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥9.05363 | 24488 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.05363 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A, 3.1A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.66347 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.66347 | 添加到BOM 立即询价 |