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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDS6911
FDS6911
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.93678

0

5-7 工作日

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合计: ¥10.93678

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FDG8842CZ
FDG8842CZ
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 25V 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安, 410毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.66733

30

2-3 工作日

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合计: ¥4.66733

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2SK3495-AZ
2SK3495-AZ
N-CHANNEL MOSFET

¥0.86915

55000

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合计: ¥2,089.43179

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NVMFD5C446NLT1G
NVMFD5C446NLT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta)、145A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.25211

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5-7 工作日

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合计: ¥18.25211

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NVMFD5852NLWFT1G
NVMFD5852NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.64466

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.64466

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FDPC8013S
FDPC8013S
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、26A 供应商设备包装: Powerclip-33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.64466

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5-7 工作日

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合计: ¥15.64466

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FDMD82100L
FDMD82100L
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 12-Power3.3x5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.68668

0

5-7 工作日

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合计: ¥18.68668

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FDC6321C
FDC6321C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 680毫安, 460毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.49060

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.49060

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ECH8697R-TL-W
ECH8697R-TL-W
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: SOT-28FL/ECH8 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.58040

189

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.58040

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FDC8602
FDC8602
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.86435

0

5-7 工作日

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合计: ¥10.86435

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NTJD5121NT1G
NTJD5121NT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.30203

24554

2-3 工作日

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合计: ¥0.30203

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NVMFD5C650NLT1G
NVMFD5C650NLT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、111A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.06283

0

5-7 工作日

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合计: ¥20.06283

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NVMFD5C446NT1G
NVMFD5C446NT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Ta)、127A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.81753

0

5-7 工作日

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合计: ¥17.81753

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NDS9945
NDS9945
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.08164

0

5-7 工作日

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合计: ¥11.08164

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NVJD4401NT1G
NVJD4401NT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.88992

100

2-3 工作日

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合计: ¥2.88992

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NVMFD5C446NLWFT1G
NVMFD5C446NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta)、145A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.93198

0

5-7 工作日

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合计: ¥20.93198

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NVMFD5C650NLWFT1G
NVMFD5C650NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、111A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.00441

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5-7 工作日

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FDMD8240L
FDMD8240L
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A 供应商设备包装: 12-Power3.3x5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.46700

0

5-7 工作日

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合计: ¥23.46700

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FDMD84100
FDMD84100
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: Power 3.3x5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.14927

0

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EFC6605R-TR
EFC6605R-TR
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 供应商设备包装: 6-EFCP (1.9x1.46) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.91117

4843

5-7 工作日

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合计: ¥3.91117

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