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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDG1024NZ
FDG1024NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.14246

75

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.14246

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NVTJD4001NT1G
NVTJD4001NT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.76631

2980

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.76631

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FDG6303N
FDG6303N
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.59368

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.59368

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FDS6912A
FDS6912A
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.06423

16

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.06423

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FW297-TL-2W
FW297-TL-2W
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.92794

30

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,319.85500

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EFC4626R-TR
EFC4626R-TR
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 供应商设备包装: 4-BGA (1x1) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.96959

26

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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2SJ634-E
2SJ634-E
8A, 60V, P-CHANNEL MOSFET

¥8.40176

13478

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.65511

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2SK4085LS-CB11
2SK4085LS-CB11
N-CHANNEL MOSFET

¥17.45539

2200

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,181.92363

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2SJ653
2SJ653
POWER MOSFET MOTOR DRIVERS

¥20.64227

37609

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.08009

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2SK3614-TD-E
2SK3614-TD-E
N-CHANNEL, MOSFET

¥1.37615

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,376.15100

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NTGD4167CT1G
NTGD4167CT1G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A、1.9A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.12845

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.12845

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FW342-TL-E
FW342-TL-E
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.81073

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,814.34645

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FW342-T-TL-H
FW342-T-TL-H
N CHANNEL AND P CHANNEL SILICON

¥1.81073

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,810.72500

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NTMFD5C650NLT1G
NTMFD5C650NLT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、111A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.04570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥31,568.54250

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FDMD8540L
FDMD8540L
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A, 156A 供应商设备包装: 8-Power 5x6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.21303

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥66,639.09900

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FDG6320C
FDG6320C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安、140毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.25931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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FDMD8630
FDMD8630
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Ta), 167A (Tc) 供应商设备包装: 8-Power 5x6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.51892

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥85,556.75700

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STZD3155CT1G
STZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 540MA SOT563

¥1.08644

248000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,239.14254

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NTMD2C02R2G
NTMD2C02R2G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A, 3.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.67987

16455

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,149.25815

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NTMD2P01R2G
NTMD2P01R2G
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 16伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.33030

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.33030

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