特色
- 用于快速开关的低栅极电荷
- AEC Q101合格
- 占地面积小−比TSOP−6小30%
- ESD保护门
- 符合RoHS
应用
- 低压侧负载开关
- 锂离子电池供电设备
- 降压转换器
- 水平移位
- 手机
- PDA
- 差示扫描量热法
（图片：引出线）
NVTJD4001NT1G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.76630 | 3.76630 |
| 10+ | 2.84646 | 28.46460 |
| 100+ | 1.77088 | 177.08890 |
| 500+ | 1.21188 | 605.94100 |
| 1000+ | 0.93216 | 932.16100 |
| 3000+ | 0.83894 | 2516.83500 |
| 6000+ | 0.79237 | 4754.23800 |
- 库存: 2980
- 单价: ¥3.76631
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.77
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@100A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 250毫安
- 供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
- 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@10毫安，4V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.3nC @ 5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 33皮法 @ 5V
- 最大功率 272mW
NVTJD4001NT1G 产品详情
汽车功率MOSFET是低功率应用的理想选择。30V，250mA，1.5欧姆，双N通道SC−88，逻辑电平。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVTJD4001NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVT-3401 | 奎斯特科技 (Quest) | 导线/电缆扎带类型: 钩环-带 材质: 聚丙烯钩，聚酰胺环 色彩/颜色: 黑色 实际长度: 30.00'（9.14m） 包装: 散装 | ¥125.73674 |
 | NVT-3402 | 奎斯特科技 (Quest) | 导线/电缆扎带类型: 钩环-带 材质: 聚丙烯钩，聚酰胺环 色彩/颜色: 蓝色 实际长度: 30.00'（9.14m） 包装: 散装 | ¥125.73674 |
 | NVT4858-4557-EVB | 恩智浦 (NXP) | 采用的IC/零件: NVT4557、NVT4858 种类: 接口 嵌入: 无 功能: 电平转换器 | ¥3,236.70715 |
| NVTJD4001NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NVTFS5811NLWFTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 3.2W（Ta）、21W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥59.82635 |
 | NVTFS5824NLTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 3.2W（Ta），57W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.65819 |
 | NVTFS5824NLWFTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 3.2W（Ta），57W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
| NVT2012GM,125 | NVT2012 - LOGIC - TRANSLATORS, L | ¥4.3456 | |
| NVT4558-4858-EVB | NVT4558HK EVAL BOARD | ¥0.00 | |
| NVT4558HKX | IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10 | ¥0.00 |
NVTJD4001NT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NVTJD4001NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVTJD4001NT1G价格参考￥3.766308，你可以下载 NVTJD4001NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVTJD4001NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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