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NVTFS5811NLWFTAG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 3.2W(Ta)、21W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥59.82635
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥59.83
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.7毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1570 pF@25 V
  • 最大功耗 3.2W(Ta)、21W(Tc)
  • 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN

NVTFS5811NLWFTAG 产品详情

采用3x3mm扁平引线封装的汽车功率MOSFET,设计紧凑高效,具有高热性能。可湿侧选项可用于增强光学检查。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP,适用于汽车应用。

特色

  • 低导通电阻
  • 最小传导损耗
  • 高电流能力
  • 强大的负载性能
  • 100%雪崩测试
  • 电压过载故障防护措施

应用

  • 电动机驱动器
  • 汽车电机控制


(图片:引出线)

NVTFS5811NLWFTAG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVTFS5811NLWFTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVTFS5811NLWFTAG价格参考¥59.826354,你可以下载 NVTFS5811NLWFTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVTFS5811NLWFTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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