特色
- 互补N沟道和P沟道MOSFET
- 小尺寸（3 x 3 mm）双TSOP-6封装
- 用于低导通电阻的前沿沟槽技术
- 降低栅极电荷以提高开关响应
- 独立连接的设备提供设计灵活性
应用
- DC-DC转换电路
- 带电平转换的负载/功率切换
- 手机、PMP、DSC、GPS、便携式视频游戏、PC、打印机、外围设备、DTV、机顶盒以及其他计算和数字消费产品
NTGD4167CT1G
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A、1.9A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.63545 | 4.63545 |
| 10+ | 3.96186 | 39.61866 |
| 100+ | 2.96017 | 296.01730 |
| 500+ | 2.32598 | 1162.99250 |
| 1000+ | 1.79732 | 1797.32600 |
| 3000+ | 1.68201 | 5046.05700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.12845
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.64
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 最大功率 900mW
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.6A、1.9A
- 导通电阻 Rds(ON) 90毫欧姆 @ 2.6A, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 295皮法@15V
NTGD4167CT1G 产品详情
功率MOSFET，互补，30V，+2.9/-2.2 A，TSOP-6双
NTGD4167CT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTGD3148NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
| NTGD4167CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A、1.9A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTGD3149CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A、2.4A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | NTGD4161PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.59344 |
 | NTGD3133PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.02801 |
 | NTGD3133PT1H | 安盛美 (onsemi) | PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO | ¥2.02801 |
 | NTGS4111PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37036 |
 | NTGS4141NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.38557 |
 | NTGS3433T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP | ¥0.65186 |
NTGD4167CT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NTGD4167CT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTGD4167CT1G价格参考￥4.128453，你可以下载 NTGD4167CT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTGD4167CT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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