特色
- 低阈值电平，VGS（th）<1.5 V
- 低栅极电荷（典型值3.8 nC）
- 低RDS的前沿沟槽技术（上）
- 高功率和电流处理能力
应用
- DC-DC转换器
- 低压侧负载开关
- 针对电池和负载管理应用进行了优化
- 蓄电池充电电路
- 蓄电池保护电路
- 手机
- 偿债准备金率
- 媒体播放器
（图片：引出线）
NTGD3148NT1G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.69387 | 3.69387 |
| 10+ | 3.15066 | 31.50662 |
| 100+ | 2.35104 | 235.10450 |
| 500+ | 1.84737 | 923.68700 |
| 1000+ | 1.42757 | 1427.57600 |
| 3000+ | 1.33595 | 4007.85900 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.18688
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.69
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 最大功率 900mW
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3A
- 工作温度 -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 3.5A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 300皮法 @ 10V
- 供应商设备包装 6-TSOP
NTGD3148NT1G 产品详情
功率MOSFET，双N沟道，20V，70mΩ，TSOP6封装
NTGD3148NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| NTGD3148NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
 | NTGD4167CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A、1.9A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTGD3149CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A、2.4A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | NTGD4161PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.59344 |
 | NTGD3133PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.02801 |
 | NTGD3133PT1H | 安盛美 (onsemi) | PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO | ¥2.02801 |
 | NTGS4111PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37036 |
 | NTGS4141NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.38557 |
 | NTGS3433T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP | ¥0.65186 |
NTGD3148NT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NTGD3148NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTGD3148NT1G价格参考￥3.186876，你可以下载 NTGD3148NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTGD3148NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
