9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTGD4161PT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTGD4161PT1G价格参考值0.22000美元。onsemi NTGD4161PT1G封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP。您可以下载NTGD4161PT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTGD3148NT1G是MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于6-TSOP，以及2 N沟道（双）FET类型，该器件还可以用作900mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供300pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3A，最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@3.5A、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为3.8nC@4.5V。
NTGD3149CT1G是MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-TSOP供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于60 mOhm@3.5A，4.5V，提供功率最大功能，如900mW，封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供387pF@10V输入电容Cis Vds，该器件具有5.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为3.2A，2.4A。
NTGD3147FT1G是ON制造的MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP。NTGD3147 FT1G采用SC-74、SOT-457封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH20V 2.2A 6-TSOP、P沟道20V 2.2A（Ta）1W（Ta）表面安装6-TSOP。
