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NTGD3149CT1G

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A、2.4A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥4.41817
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.42
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 部件状态 过时的
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 最大功率 900mW
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
  • 供应商设备包装 6-TSOP
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.2A、2.4A
  • 导通电阻 Rds(ON) 60毫欧姆 @ 3.5A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 387皮法 @ 10V

NTGD3149CT1G 产品详情

NTGD3149CT1G所属分类:场效应晶体管阵列,NTGD3149CT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTGD3149CT1G价格参考¥4.418169,你可以下载 NTGD3149CT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTGD3149CT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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