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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
NTQD6866R2G
NTQD6866R2G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.44858

11244

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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MTB6N60ET4
MTB6N60ET4
6A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL

¥4.41817

790

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,160.48464

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EFC2J013NUZTDG
EFC2J013NUZTDG
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 供应商设备包装: 6-WLCSP (2x1.49) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.41817

23964

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.41817

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MPIC2117P
MPIC2117P
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI

¥4.41817

750

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,160.48464

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NTQD6968NR2G
NTQD6968NR2G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.89716

14075

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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NDS9958
NDS9958
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.48868

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.48868

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NDS8858H
NDS8858H
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A, 4.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4,088.96471

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,088.96471

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NTTD1P02R2G
NTTD1P02R2G
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.45A 供应商设备包装: 8-MSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.89428

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.89428

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NDS8852H
NDS8852H
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A, 3.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.76343

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.76343

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NVMFD5C478NWFT1G
NVMFD5C478NWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta), 27A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.34876

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,023.13250

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NDS9952A
NDS9952A
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A, 2.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.70693

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.70693

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NVMFD5C478NLWFT1G
NVMFD5C478NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Ta)、29A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.35890

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,038.34250

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NTJD4105CT2G
NTJD4105CT2G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.96959

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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NVMFD5877NLT1G
NVMFD5877NLT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.37157

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,057.35500

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FDMC89521L
FDMC89521L
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.71709

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.71709

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NTJD4152PT2G
NTJD4152PT2G
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.04202

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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EFC2J004NUZTDG
EFC2J004NUZTDG
MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL

¥1.41584

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,079.21000

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FDC6506P
FDC6506P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.09852

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.09852

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NVMFD5489NLWFT1G
NVMFD5489NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.75230

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,163.30937

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FDS6930A
FDS6930A
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.31773

126739

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,192.57069

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