9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTJD4152PT2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTJD4152PT2G参考价格为0.42000美元。onsemi NTJD4152PT2G封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6。您可以下载NTJD4152PT2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTJD4152PT1G是MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363，包括NTJD4152P系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的SC-88/SC70-6/SOT-363，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为272mW，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为155pF@20V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为880mA，最大Id Vgs的Rds为260mOhm@880mA，4.5V，Vgs的最大Id为450mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.2nC@4.5V，Pd功耗为272mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.5 ns，上升时间为6.5ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为-880mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为600mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为13.5ns，典型导通延迟时间为5.8ns，正向跨导最小值为3S，信道模式是增强。
NTJD4105CT4G是MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于375 mOhm@630mA，4.5V，提供270mW等最大功率特性，包装设计用于磁带和卷盘（TR）以及6-TSSOP、SC-88、，SOT-363包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供46pF@20V输入电容Ciss Vds，该器件具有3nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，8V，25°C电流连续漏极Id为630mA，775mA。
NTJD4152PT1是MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363，包括880mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在2.2nC@4.5V下工作，除了155pF@20V输入电容Cis Vds之外，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该设备具有封装带和卷轴（TR），最大功率为272mW，最大Id Vgs的Rds为260 mOhm@880mA，4.5V，供应商设备包为SC-88/SC70-6/SOT-363，Vgs th Max Id为450mV@250μA。
