NTJD4105CT1G

Name: NTJD4105CT1G
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7120480-NTJD4105CT1G
Price: 3.331734 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

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10+	2.72333	27.23330
100+	1.85635	185.63550
500+	1.39208	696.04250
1000+	1.04399	1043.99200
3000+	0.95700	2871.01200
6000+	0.92274	5536.47000

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规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
安装类别表面安装
场效应管特性逻辑电平门
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 N和P通道
包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3nC @ 4.5V
最大功率 270毫瓦
供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
导通电阻 Rds(ON) 375毫欧姆 @ 630毫安, 4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 46皮法 @ 20V
漏源电压标 (Vdss) 20伏、8伏
漏源电流 (Id) @ 温度 630毫安, 775毫安

NTJD4105CT1G 产品详情

双N/P沟道MOSFET，ON半导体

NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点，可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护，可由低至1.5V的逻辑信号驱动，而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。

特色

互补N和P信道设备
领先的-8.0 V沟槽，低RDS（开启）性能
ESD防护门ESD等级：1级
SC-88封装，适用于小尺寸（2x2mm）

应用

DC-DC转换
负载/电源切换
单电池或双电池锂离子电池供电设备
手机
MP3
数码相机
PDA

（图片：引出线）

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型号	制造商	描述	价格
NTJD5121NT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥0.30203
NTJD4001NT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥0.80614
NTJD4401NT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.18688
NTJD4152PT1G	台舟 (TECH PUBLIC)	场效应管类型: 2个P通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥0.81243
NTJD4105CT2G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.96959
NTJD4152PT2G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个P通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.04202
NTJD4158CT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安、880毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.25931
NTJD5121NT2G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.89716
NTJD4105CT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.33173
NTJD4401NT2	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363	¥0.507

NTJD4105CT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NTJD4105CT1G 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTJD4105CT1G价格参考￥3.331734，你可以下载 NTJD4105CT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTJD4105CT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！