特色
- 占地面积小（2 x 2 mm）
- 低栅电荷N沟道器件
- ESD保护门
- 与SC-70相同的封装（6引线）
- 符合RoHS
应用
- 负载电源切换
- 锂离子电池供电设备
- DC-DC转换
- 手机
- 媒体播放器
- 数码相机
- PDA
（图片：引出线）
NTJD4401NT1G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.18687 | 3.18687 |
| 10+ | 2.39740 | 23.97400 |
| 100+ | 1.49276 | 149.27620 |
| 500+ | 1.02124 | 510.62450 |
| 1000+ | 0.78556 | 785.56500 |
| 3000+ | 0.70697 | 2120.93700 |
| 6000+ | 0.66772 | 4006.33800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.18688
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.19
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3nC @ 4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 630毫安
- 最大功率 270毫瓦
- 供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
- 导通电阻 Rds(ON) 375毫欧姆 @ 630毫安, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 46皮法 @ 20V
NTJD4401NT1G 产品详情
该N通道双器件采用ON Semiconductor领先的平面工艺设计，占地面积小（2x2 mm），可实现小占地面积和提高效率。低品质因数特别适用于单电池或双电池锂离子电池供电的设备，如手机、媒体播放器、数码相机和PDA。
NTJD4401NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTJD5121NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.30203 |
 | NTJD4001NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.80614 |
| NTJD4401NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
 | NTJD4152PT1G | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.81243 |
 | NTJD4105CT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 |
 | NTJD4152PT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.04202 |
 | NTJD4158CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安、880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.25931 |
 | NTJD5121NT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 |
 | NTJD4105CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | NTJD4401NT2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 | ¥0.507 |
NTJD4401NT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NTJD4401NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTJD4401NT1G价格参考￥3.186876，你可以下载 NTJD4401NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTJD4401NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
