NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点，可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护，可由低至1.5V的逻辑信号驱动，而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。
特色
- 领先的20 V沟槽，实现低RDS（开启）性能
- ESD保护门
- SC-88小型封装（2x2 mm）
- 符合RoHS
应用
- DC-DC转换
- 负载/电源管理
- 负载开关
- 手机
- MP3
- 数码相机
- PDA
（图片：引出线）
NTJD4158CT1G
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安、880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.25930 | 3.25930 |
| 10+ | 2.62193 | 26.21930 |
| 100+ | 1.78465 | 178.46510 |
| 500+ | 1.33848 | 669.24400 |
| 1000+ | 1.00386 | 1003.86600 |
| 3000+ | 0.92021 | 2760.63000 |
| 6000+ | 0.88725 | 5323.53000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.25931
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.26
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 漏源电压标 (Vdss) 30V, 20V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@100A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.5nC@5V
- 最大功率 270毫瓦
- 供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 33皮法 @ 5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 250毫安、880毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@10毫安，4.5V
NTJD4158CT1G 产品详情
双N/P沟道MOSFET，ON半导体
NTJD4158CT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTJD5121NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.30203 |
 | NTJD4001NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.80614 |
 | NTJD4401NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
 | NTJD4152PT1G | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.81243 |
 | NTJD4105CT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 |
 | NTJD4152PT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.04202 |
| NTJD4158CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安、880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.25931 |
 | NTJD5121NT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 |
 | NTJD4105CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | NTJD4401NT2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 | ¥0.507 |
NTJD4158CT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NTJD4158CT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTJD4158CT1G价格参考￥3.259305，你可以下载 NTJD4158CT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTJD4158CT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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