特色
- 低RDS（打开）
- 低门阈值
- 低输入电容
- ESD保护门
应用
- 低压侧负载开关
- DC-DC转换器（降压和升压电路）
（图片：引出线）
NTJD5121NT1G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.30202 | 0.30202 |
- 库存: 24554
- 单价: ¥0.30203
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.30
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 60V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
- 最大功率 250mW
- 导通电阻 Rds(ON) 1.6欧姆@500毫安，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 295毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 20V时为26皮法
- 供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJD5121NT1G 产品详情
功率MOSFET60 V，295 mA，双N−通道，带ESD保护SC−88
NTJD5121NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| NTJD5121NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.30203 |
 | NTJD4001NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.80614 |
 | NTJD4401NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
 | NTJD4152PT1G | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.81243 |
 | NTJD4105CT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 |
 | NTJD4152PT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.04202 |
 | NTJD4158CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安、880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.25931 |
 | NTJD5121NT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 |
 | NTJD4105CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | NTJD4401NT2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 | ¥0.507 |
NTJD5121NT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NTJD5121NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTJD5121NT1G价格参考￥0.302029，你可以下载 NTJD5121NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTJD5121NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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