ON Semis PowerTrench®MOSFET经过优化的功率开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷、小反向恢复和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
特色
- VGS=10 V，ID=8.2 A时，最大rDS（开）=17 mΩ
- VGS=4.5 V，ID=6.7 A时，最大rDS（开）=27 mΩ
- 终端是无铅的
- 符合RoHS
应用
- 消费者
FDMC89521L
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 15.71709 | 15.71709 |
| 10+ | 14.10916 | 141.09169 |
| 100+ | 11.34093 | 1134.09330 |
| 500+ | 9.31784 | 4658.92300 |
| 1000+ | 8.47071 | 8470.71600 |
| 3000+ | 8.47078 | 25412.36700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥15.71709
-
数量:
- +
- 总计: ¥15.72
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 漏源电压标 (Vdss) 60V
- 供应商设备包装 8-Power33 (3x3)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.2A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 17毫欧姆@8.2A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1635华氏度@30伏
- 最大功率 1.9W（Ta）、16W（Tc）
FDMC89521L 产品详情
PowerTrench®双N沟道MOSFET，Fairchild半导体
FDMC89521L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
| FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
| FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
| FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
| FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMC89521L所属分类：场效应晶体管阵列，FDMC89521L 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMC89521L价格参考￥15.717093，你可以下载 FDMC89521L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMC89521L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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