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FDMS86252L

描述:FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G
品牌:
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 395

库存: 1378
单价: ¥5.49287
数量:
- +
总计: ¥2,169.68

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规格参数

场效应管特性 -
场效应管类型 -
技术 -
漏源电压标 (Vdss) -
漏源电流 (Id) @ 温度 -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
导通电阻 Rds(ON) -
开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
最大功耗 -
工作温度 -
安装类别 -
供应商设备包装 -
包装/外壳 -
部件状态过时的
制造厂商

FDMS86252L 产品详情

该N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产，该工艺结合了屏蔽栅技术。该工艺已针对导通状态电阻进行了优化，但仍保持了优异的开关性能。

特色

屏蔽栅MOSFET技术
VGS=10 V，ID=4.6 A时，最大rDS（开）=51 mΩ
VGS=6 V，ID=3.9 A时，最大rDS（开）=70 mΩ
先进封装和硅组合，实现低rDS（开启）和高效率
MSL1稳健的封装设计
100%UIL测试
符合RoHS

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。

FDMS86252L 相关器件

型号	制造商	描述	价格
FDMS8350L		FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC	¥18.45513
FDMS86252L		FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G	¥5.49287
FDMS8350LET40		FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT	¥14.31219
FDMS86104		N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE	¥7.81299
FDMS3672		FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR	¥8.85082
FDMA6676PZ	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）最大功耗: 2.4W（Ta）供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥34.78041
FDMS86568-F085	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj）供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥23.80017
FDMS8558S	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 25伏漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc）供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥34.59209
FDMS9410L-F085	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥166.47081
FDMS2D4N03S	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc）最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.60601

FDMS86252L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDMS86252L 由设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMS86252L价格参考￥5.492871，你可以下载 FDMS86252L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMS86252L规格参数、现货库存、封装信息等信息！