9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS86568-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS86568-F085参考价格$3.286。onsemi FDMS86568-F085封装/规格：MOSFET N-CH 60V 80A POWER56。您可以下载FDMS86568-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如FDMS86568-F085价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FDMS86540是MOSFET PT7 60V/20V Nch PowerTrench MOSFET，包括卷轴封装，它们设计为在0.002402盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.2 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为3.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为65nC，正向跨导Min为73S，沟道模式为增强。
FDMS86550是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 8MLP。FDMS86550采用8-PowerTDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 8MLP、N沟道60V 32A（Ta）、155A（Tc）2.7W（Ta）和156W（Tc）表面安装功率56、Trans MOSFET N-CH60V 100A 8引脚功率56 EP T/R、MOSFET PT7 60/20v SG、N沟道功率沟槽MOSFET。
FDMS86550ET60，电路图由Fairchild制造。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET PT7 60/20v SG、N沟道60V 32A（Ta）、245A（Tc）3.3W（Ta），187W（Tc）表面安装功率56、Trans MOSFET N-CH 60V 32B 8引脚功率QFN EP T/R、MOSFET PT6 60/20v SGN沟道功率沟道MOSFET”。
