9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS9410L-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS9410L-F085参考价格为22.984美元。onsemi FDMS9410L-F085封装/规格：MOSFET N-CH 40V 50A POWER56。您可以下载FDMS9410L-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FDMS9409_F085带有引脚细节，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.008818盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于PowerTrench，以及Power-56-8封装盒，该设备也可用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为100 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为65A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为41nC，沟道模式为增强。
FDMS9408_F085和用户指南，包括2 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.008818 oz，典型开启延迟时间设计为22 ns，以及39 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有24ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为3mOhms，Qg栅极电荷为71nC，Pd功耗为214W，封装为卷轴式，封装盒为Power-56-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为19 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDMS9408L_F085带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为在1 N信道配置下运行，数据表注释中显示了26 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如80 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用Power56-8封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为214 W，Qg栅极电荷为83 nC，Rds漏极-源极电阻为2.9 mOhm，上升时间为13 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为14ns，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为1V。
