9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS8558S，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS8558S参考价格$4.776。onsemi FDMS8558S封装/规格：MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PFN。您可以下载FDMS8558S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMS8460是MOSFET N-CH 40V 25A POWER56，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002402盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于8-PowerTDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1信道数信道，器件具有供应商器件封装的Power56，配置为单四漏极三源极，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为7205pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为25A（Ta），49A（Tc），Rds On最大Id Vgs为2.2mOhm@25A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为110nC@10V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为7ns，上升时间为9ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通-漏极电阻为2.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型的开启延迟时间为19ns，信道模式为增强。
FDMS8350L是MOSFET PT8 40V/20V Nch PowerTrench MOSFET，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供单位重量功能，如0.001993 oz，典型开启延迟时间设计为29 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为22ns，漏极-源极电阻Rds为1.2mOhms，Qg栅极电荷为173nC，Pd功耗为113W，封装为卷轴式，封装盒为Power-56-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为200 A，正向跨导最小值为260 S，下降时间为18 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDMS8350LET40带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用Si技术操作。
