特色
- N信道：3.7A，30V，RDS（ON）=0.08W@VGS=10V，P信道：-2.9A，-30V，RDS=0.13W@VGS=-10V。
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
- 在广泛使用的表面安装封装中具有高功率和电流处理能力。
- 表面安装封装中的双（N和P沟道）MOSFET。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
NDS9952A
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A, 2.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥6.70693
-
数量:
- +
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
- 最大功率 900mW
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 320皮法 @ 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.8V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.7A, 2.9A
- 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 1A, 10V
NDS9952A 产品详情
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些设备特别适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，其中需要快速切换、低在线功耗和抗瞬变。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NDS6S2405C | 村田电子制作所 (Elcom) | 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 82% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥147.03087 |
 | NDS6D2415C | 村田电子制作所 (Elcom) | 电压输出2: -15伏 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 87.5% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥147.03087 |
| NDS7002A-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.0774 |
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| NDS-02V | 类型：平拨，凸起式 电路结构：单刀单掷 开关位数：2 颜色：红色 | ¥3.1108 | |
 | NDS-06V | 暂无 | ¥3.54168 |
NDS9952A所属分类：场效应晶体管阵列，NDS9952A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDS9952A价格参考￥6.706925，你可以下载 NDS9952A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDS9952A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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