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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

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描述
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NTJD4158CT1G
NTJD4158CT1G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安、880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.25931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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FDS6982
FDS6982
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A, 8.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.08548

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.08548

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2SK3704-CB11
2SK3704-CB11
N-CHANNEL MOSFET

¥6.01161

400

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,404.64280

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FDS6990A
FDS6990A
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥533.46856

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥533.46856

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FDS8928A
FDS8928A
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A, 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.70405

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.70405

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FDW2520C
FDW2520C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 4.4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥347.71714

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥347.71714

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FDMC6890NZ
FDMC6890NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: MicroFET 3x3毫米 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.54902

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,647.06300

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NVMFD5C478NT1G
NVMFD5C478NT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta), 27A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.56423

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,346.34650

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FDJ1027P
FDJ1027P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,541.24566

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,541.24566

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FDS8947A
FDS8947A
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.38776

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.38776

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FDM2509NZ
FDM2509NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A 供应商设备包装: MicroFET 2x2 Thin 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.70789

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NTLUD3A260PZTBG
NTLUD3A260PZTBG
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.76631

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.76631

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NTTFS5C471NLTAG
NTTFS5C471NLTAG
AFSM T6 40V LL U8FL

¥3.60479

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,407.18650

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FDR8305N
FDR8305N
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.84651

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.84651

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FDPC8014S
FDPC8014S
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A、41A 供应商设备包装: Power Clip 56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.51141

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.51141

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NVMFD5877NLT3G
NVMFD5877NLT3G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.60986

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18,049.30500

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FDS3601
FDS3601
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.13910

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.13910

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NVMFD5C470NWFT1G
NVMFD5C470NWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A(Ta)、36A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.61370

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,420.55000

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FDMQ8403
FDMQ8403
场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A 供应商设备包装: 12-MLP(5x4.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.87356

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.87356

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FDS8960C
FDS8960C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 35伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A, 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.80977

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.80977

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