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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NVMFD5877NLWFT3G
NVMFD5877NLWFT3G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.84946

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥19,247.28000

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FDG6301N_D87Z
FDG6301N_D87Z
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.58384

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.58384

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FDD3510H
FDD3510H
场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A, 2.8A 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.05363

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.05363

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NTLUD3A260PZTAG
NTLUD3A260PZTAG
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.12845

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.12845

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FDG6303N_D87Z
FDG6303N_D87Z
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.12366

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.12366

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FDG6314P
FDG6314P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6)

¥16.58624

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.58624

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FDG6320C_D87Z
FDG6320C_D87Z
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安、140毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.61905

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.61905

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NVMFD030N06CT1G
NVMFD030N06CT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 19A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.89255

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,838.82800

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FDG6322C_D87Z
FDG6322C_D87Z
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安、410毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.73398

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.73398

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FDR8508P
FDR8508P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.93870

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.93870

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NTMFD4902NFT1G
NTMFD4902NFT1G
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A,13.3A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.82318

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FDR8702H
FDR8702H
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A, 2.6A 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.50412

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.50412

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FDS6910
FDS6910
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.27091

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.27091

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FDS8958
FDS8958
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A, 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.59056

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.59056

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ECH8655R-R-TL-H
ECH8655R-R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8

¥1.73011

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,190.33600

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FDS8333C
FDS8333C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A, 3.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,552.31281

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,552.31281

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FDS6993
FDS6993
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 12V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A, 6.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.99472

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.99472

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FDS9933
FDS9933
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.50364

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.50364

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FDJ1028N
FDJ1028N
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.28444

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.28444

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FDJ1032C
FDJ1032C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A、2.8A 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.63210

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.63210

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