特色
- 带外露排水垫的UDFN封装
- 优异的导热性
- 薄型UDFN 1.6x1.6x0.55 mm
- 节省板空间，薄型设计
- ESD保护门
- 提高了耐用性，提高了可靠性
- 符合RoHS
应用
- 高压侧负载开关
- PA开关和电池开关
- 针对便携式产品的电源管理应用进行了优化
- 手机、PMP、DSC、GPS等
NTLUD3A260PZTAG
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.12845 | 4.12845 |
| 10+ | 3.54902 | 35.49021 |
| 100+ | 2.65017 | 265.01770 |
| 500+ | 2.08233 | 1041.16700 |
| 1000+ | 1.60908 | 1609.08300 |
| 3000+ | 1.50579 | 4517.39700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.12845
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.13
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
- 包装/外壳 6-UFDFN Exposed Pad
- 最大功率 500mW
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.3A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 300皮法 @ 10V
- 导通电阻 Rds(ON) 200欧姆@2A，4.5V
- 供应商设备包装 6-UDFN (1.6x1.6)
NTLUD3A260PZTAG 产品详情
功率MOSFET−20 V，−2.1 A，µCool™ 双P−通道，ESD，1.6x1.6x0.55 mm UDFN封装
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NTLUD3A260PZTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NTLJD4116NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
| NTLUD3A260PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTLJD3115PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 |
 | NTLJD2104PTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLJD2104PTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLUD3A50PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 |
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NTLUD3A260PZTAG所属分类：场效应晶体管阵列，NTLUD3A260PZTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTLUD3A260PZTAG价格参考￥4.128453，你可以下载 NTLUD3A260PZTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTLUD3A260PZTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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