9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLJD2104PTBG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTLJD2104PTBG参考价格为0.24000美元。onsemi NTLJD2104PTBG封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN。您可以下载NTLJD2104PTBG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTLGF3501NT2G是MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM，包括NTLGF3501 N系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000744盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于DFN-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.74 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13.6 ns，上升时间为13.6ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为5.8A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9ns，典型接通延迟时间为4.8ns，正向跨导最小值为6.7S，沟道模式为增强。
NTLJD2104PTAG是MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN，包括800V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-WDFN（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于90 mOhm@3A，4.5V，提供功率最大功能，如700mW，包装设计用于磁带和卷盘（TR），以及6-WDFN裸露衬垫包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供467pF@6V输入电容Cis-Vds，该器件具有8nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为12V，25°C电流连续漏极Id为2.4A。
NTLJ3113PT1G，带有ON制造的电路图。NTLJ3133PT1G采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
