特色
- WDFN封装提供外露排水垫，实现卓越的热传导
- 2x2 mm占地面积与SC-88相同
- 2x2 mm封装中的最低RDS（on）解决方案
- 1.8 V RDS（开启）额定值，在低压栅极驱动逻辑电平下运行
- 薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装
- 具有公共源配置的双向电流
应用
- 针对便携式设备中的电池和负载管理应用进行了优化
- 锂离子电池充电和保护电路
- 高压侧负载开关
（图片：引出线）
NTLJD3115PT1G
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.07003 | 5.07003 |
| 10+ | 4.34574 | 43.45740 |
| 100+ | 3.24554 | 324.55430 |
| 500+ | 2.55037 | 1275.18500 |
| 1000+ | 1.97064 | 1970.64800 |
| 3000+ | 1.84426 | 5532.78000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥5.07003
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.07
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.3A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
- 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@2A，4.5V
- 最大功率 710mW
- 供应商设备包装 6-WDFN (2x2)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 531皮法 @ 10V
NTLJD3115PT1G 产品详情
功率MOSFET-20 V，-4.1 A，µCool™ 双P通道，2x2 mm WDFN封装
NTLJD3115PT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTLMS4504NR2 | 安盛美 (onsemi) | TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S | ¥4.41817 |
 | NTLUD3A260PZTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NTLJD4116NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
 | NTLUD3A260PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
| NTLJD3115PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 |
 | NTLJD2104PTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLJD2104PTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLUD3A50PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 |
 | NTLTS3107PR2G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CHAN 8.3A 20V MICRO8 | ¥4.85274 |
 | NTLTD7900ZR2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2N-CH 20V 6A MICRO8 | ¥1.44858 |
NTLJD3115PT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NTLJD3115PT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTLJD3115PT1G价格参考￥5.070030，你可以下载 NTLJD3115PT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTLJD3115PT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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