9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLJD2104PTAG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTLJD2104PTAG参考价格为0.24000美元。onsemi NTLJD2104PTAG封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN。您可以下载NTLJD2104PTAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTLGF3402PT2G是MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM，包括NTLGF3402 P系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000744盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于DFN-6以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双源，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.6 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为22纳秒，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为-2.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为6.2ns，正向跨导最小值为4.8S，沟道模式为增强。
NTLGF3501NT2G是MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000744盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如4.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为NTLGF3501N系列，该器件的上升时间为13.6ns，漏极电阻Rds为9 mOhms，Pd功耗为1.74 W，封装为卷轴式，封装外壳为DFN-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5.8A，正向跨导最小值为6.7S，下降时间为13.6ns，配置为单双源，信道模式为增强。
NTLJ3113PT1G，带有ON制造的电路图。NTLJ3133PT1G采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
