9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDJ1032C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDJ1032C参考价格为1.606美元。onsemi FDJ1032C封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75。您可以下载FDJ1032C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDJ1027P是MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于SC75-6 FLMP，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，该器件也可以用作2P沟道（双）FET型。此外，最大功率为900mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有290pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.8A，最大Id Vgs上的Rds为160 mOhm@2.8A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为4nC@4.5V。
FDJ1028N是MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC75-6 FLMP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如90 mOhm@3.2A，4.5V，Power Max设计为1.5W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作SC75-6 FLMP封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有200pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为3nC@4.5V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为3.2A。
FDJ1027P-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDJ1027P-NL采用SC75-6封装，是IC芯片的一部分。
