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FDD3510H

  • 描述:场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A, 2.8A 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.05362 9.05362
2500+ 3.85018 9625.45250
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  • 单价: ¥9.05363
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.05
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
  • 最大功率 1.3瓦
  • 漏源电压标 (Vdss) 80V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管类型 N和P通道,公共漏极
  • 包装/外壳 TO-252-5,DPak(4根引线+接线片),TO-252AD
  • 供应商设备包装 TO-252(DPak)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.3A, 2.8A
  • 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 4.3A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 800皮法 @ 40V

FDD3510H 产品详情

该P沟道1.8V专用MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。它已针对电池电源管理进行了优化。

特色

  • -6.7A,-12V
  • RDS(ON)=28 mΩ@VGS=-4.5V
  • RDS(ON)=41 mΩ@VGS=-2.5V
  • RDS(开启)=90 mΩ@VGS=-1.8V
  • 快速切换速度
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD3510H所属分类:场效应晶体管阵列,FDD3510H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD3510H价格参考¥9.053625,你可以下载 FDD3510H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD3510H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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