9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFD5877NLT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFD5877NLT3G参考价格为0.49840美元。onsemi NVMFD5877NLT3G封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC。您可以下载NVMFD5877NLT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMFD5877NLT1G是MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC，其中包括NVMFD587NL系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001319盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerTDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 N通道（双），最大功率为3.2W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为540pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为39 mOhm@7.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为23W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为60 mΩ，晶体管极性为N沟道。
NVMFD5875NLWFT1G带有用户指南，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）的供应商设备包，该设备提供Rds on Max Id Vgs功能，例如33 mOhm@7.5A，10V，功率最大设计为3.2W，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作8功率TDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有540pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V，FET类型为2N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为7A。
带有电路图的NVMFD5875NLWFT3G，包括7A电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于20nC@10V，以及540pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerTDFN封装盒，该设备具有磁带和卷轴（TR）交替封装，最大功率为3.2W，最大Id Vgs的Rds为33 mOhm@7.5A，10V，供应商设备封装为8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称），工艺为Si，Vgs最大Id为3V@250μA。
